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参数资料
| 型号： | 2SJ527(S) |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2SJ527(S) |
2SJ527(L), 2SJ527(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-640A (Z)
2nd. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.3 typ.
Low drive current
4 V gete drive devices
High speed switching
Outline
1 2
3
4
1 2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
DPAK-1
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ527S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SJ527STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ527STR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ528 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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