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参数资料
| 型号： | 2SJ527S |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SJ527S |
2SJ527(L),2SJ527(S)
8
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
–10 V
R L
V
= –30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t f
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ
γ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot
Pulse
Tc = 25°C
Switching Time Test Circuit
Waveform
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
s
(t)
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ527STL-E | 5 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ528L-E | 7 A, 60 V, 0.37 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ528STL-E | 7 A, 60 V, 0.37 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ528L | 7 A, 60 V, 0.37 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ531 | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ527S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SJ527STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ527STR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ528 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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