- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41532 > 2SJ551S-E 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ551S-E |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SJ551S-E |
2SJ551(L),2SJ551(S)
7
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
VDD
50
Vin
–15 V
0
I D
VDS
I AP
V(BR)DSS
L
VDD
E
=
L I
2
1
V
– V
AR
AP
DSS
DD
2
50
40
30
20
10
25
50
75
100
125
150
0
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V
= 0, 5 V
GS
–10 V
–5 V
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
I
= –18 A
V
= –25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
AP
DD
Channel Temperature Tch (°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
(mJ)
AR
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ551S | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ551STL-E | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552(S) | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552L | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552S | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ551STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ552 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ552(L) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ552(S) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。