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参数资料
| 型号： | 2SJ648-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | USM, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SJ648-A |
Data Sheet D16597EJ2V0DS
3
2SJ648
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
P
T-
Total
Power
Dissipation
-
mW
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on ceramic substrate of
300 mm
2 × 0.64 mm
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
- 1.6
0
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
Pulsed
2.5 V
VGS =
4.5 V
4.0 V
TA - Ambient Temperature -
°C
VDS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I
D
-
Drain
Current
-
A
- 0.0001
- 0.001
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
0
- 1
- 2- 3- 4
VDS =
10 V
Pulsed
TA = 125°C
75°C
25°C
V
G
S
(off)
-
Gate
Cut-off
Voltage
-
V
- 0.6
- 0.8
- 1
- 1.2
- 1.4
- 1.6
- 50
0
50
100
150
VDS =
10 V
ID =
1.0 mA
VGS - Gate to Source Voltage - V
Tch - Channel Temperature -
°C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
0.01
0.1
1
10
- 0.001
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
TA =
25°C
75°C
125°C
VDS =
10 V
Pulsed
0
1
2
3
4
- 50
0
50
100
150
Pulsed
VGS =
2.5 V, ID = 0.15 A
VGS =
4.0 V, ID = 0.20 A
VGS =
4.5 V, ID = 0.20 A
|y
fs
|-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
Tch - Channel Temperature -
°C
240
200
160
120
80
40
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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