型号: | 2SJ648-A |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | USM, SC-75, 3 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 135K |
代理商: | 2SJ648-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SJ649 | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SJ663-TL | 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ664-TL | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SJ648-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,20V,0.4A,1.17ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R |
2SJ649 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
2SJ649-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |