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参数资料
| 型号： | 2SJ656 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 100 V, 0.104 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SJ656 |
2SJ656
No.7684-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--9A, VGS=--10V
58
75.5
m
RDS(on)2
ID=--9A, VGS=--4V
74
104
m
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
4200
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
280
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
220
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
30
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
110
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
340
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
128
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--18A
74
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--18A
12.8
nC
Gate-to-Drain“Miller”Charge
Qgd
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--18A
14.7
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--18A, VGS=0
--0.93
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --9A
RL=5.56
VDD= --50V
VOUT
2SJ656
VIN
0V
--10V
VIN
ID -- VDS
IT06626
ID -- VGS
IT06627
0
--5.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
--40
--30
--5.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
ID -- VDS
--20
--10
--10V
--6V
--4V
VGS= --3V
Tc=25
°C
0
--40
--30
--20
--10
VDS= --10V
T
c=
--25
°C
T
c=
--25
°C
25
°C
25
°C
75
°C
75
°C
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
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