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参数资料
| 型号： | 2SJ656 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 100 V, 0.104 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SJ656 |
2SJ656
No.7684-3/4
0
100
1000
10000
7
5
3
2
--30
--5
--15
--20
--25
--10
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT06633
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
--10
7
--100
--1.0
--0.1
23
5 7
2
3
5 7
2
35 7
--0.1
--1.0
--10
--100
IT06635
SW Time -- ID
IT06632
IT06631
0
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
--0.001
--100
--0.01
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
010
0
--2
--1
--4
--3
--5
--6
--7
--8
--9
--10
VGS -- Qg
IT06634
IT06630
yfs -- ID
20
30
40
50
60
70
80
VDS= --50V
ID= --18A
25
°C
--25
°C
7
5
3
2
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
--0.1
100
2
35 7 --1.0
1000
7
5
10
3
2
7
5
3
2
35 7 --10
2
35 7 --100
T
c=75
°C
td(off)
VDD= --50V
VGS= --10V
td(on)
VGS=0
tr
<10
s
10
s
100
s
1ms
100ms
DC
operation
10ms
Operation in this area
is limited by RDS(on).
IDP= --72A
ID= --18A
tf
RDS(on) -- VGS
IT06628
RDS(on) -- Tc
IT06629
0
140
120
0
140
120
--10
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
--9
100
80
60
40
20
ID= --9A
Tc=75
°C
--25
°C
25
°C
100
80
60
40
20
I D
= --
9A,
V GS
= --
10V
I D
= --
9A,
V GS
= --
4V
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Forward
Drain
Current,
I
F
--
A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Drain
Current,
I
D
-
A
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain Current, ID -- A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Drain Current, ID -- A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Total Gate Charge, Qg -- nC
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Tc=25
°C
Single pulse
--0.1
10
100
23
5
7 --1.0
7
5
1.0
3
2
5
3
2
23
5
77
--10
23
VDS= --10V
Tc=
--25
°C
25
°C
75°
C
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