型号: | 2SJ661 |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 38 A, 60 V, 0.056 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | SMP, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 38K |
代理商: | 2SJ661 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SJ665-TL | 27 A, 100 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ665 | 27 A, 100 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ665 | 27 A, 100 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ76-E | 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SJ78-E | 0.5 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SJ661_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
2SJ661-1E | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 19A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262-3 标准包装:50 |
2SJ661-DL-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
2SJ661-DL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SJ662 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |