2SJ661-1E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SJ661-1EX
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
ON/安森美
TO-262-2
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SJ661-1EX
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
ON/安森美
TO-262-2
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SJ661-1E
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
ON(安森美)
TO-263-3
刚到货
-
代理可含税开票

2SJ661-1E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
TO-262-3
17+
-
全新原装现货

2SJ661-1EX
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
16860
ON/安森美
TO-262-2
21+
-
原厂原装现货

2SJ661-1E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
400
ON/安森美
NA
16+
-

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功能描述
MOSFET P-CH 60V 38A
制造商
on semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
38A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
39 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
4360pF @ 20V
功率 - 最大值
1.65W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262-3
标准包装
50

2SJ661-1E 技术参数

2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SJ655 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:136 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2090pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SJ652-RA11 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:50 2SJ652-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3SG 标准包装:50 2SJ652 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E