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参数资料
| 型号： | 2SJ664 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ664 |
2SJ664
No.8589-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
2090
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
155
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
108
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
17
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
105
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
185
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
98
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--17A
41
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--17A
7
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--17A
9
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--17A, VGS=0V
--0.93
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7513-002
7001-003
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10.2
8.8
11.0
2.7
11.5
(9.4)
20.9
1.6
0.2
1.3
4.5
0.8
0.4
12
3
2.55
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --8A
RL=6.25
VDD= --50V
VOUT
2SJ664
VIN
0V
--10V
VIN
50
0V
--10V
≥50
RG
DUT
VDD
L
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ664-TL | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666 | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666-TL | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666 | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ668(2-7J1B) | 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ665 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 2SJ665_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SJ665-DL-E | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SJ666 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SJ667 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:2SJ667 |
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