型号: | 2SK0662GQ |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 206K |
代理商: | 2SK0662GQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK0662G | 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK0663GQ | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK0663GP | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK0663Q | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK0663P | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK0663 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Amplification |
2SK0663(2SK663) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs |
2SK06630RL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK0663GRL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK0664 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |