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参数资料
| 型号： | 2SK0663GP |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SK0663GP |
2SK0663G
3
SJF00056CED
SMini3-F2
Unit: mm
0.30
+0.05
0.02
0.13
+0.05
0.02
2.00 ±0.20
(0.89)
0.90
±0.10
(0.65)
1.30 ±0.10
1.25
±0.10
2.10
±0.10
0.425
±0.050
(0.49)
0to
0.10
(5
°)
(5°)
3
12
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PDF描述 |
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| 2SK663Q | 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK1008-01 | 4.5 A, 500 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1011-01 | 10 A, 450 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK0663GRL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK0664 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
| 2SK0664(2SK664) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス － 小信号FET － MOS FET |
| 2SK066400L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK0664G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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