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参数资料
| 型号： | 2SK1152(L) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 ohm, POWER, FET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK1152(L) |
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Pulse Test
5 V,10 V
VGS=0, –10V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
θch–c(t) = γ
S (t) θch–c
θch–c = 6.25°C/W, T
C = 25°C
PDM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
TC = 25°C
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
D = 1
1 Shot
Pulse
0.01
Vin Monitor
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
D.U.T
.
VDD = 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
10 %
td (on)
td (off)
tr
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1151(L) | 5.5 ohm, POWER, FET |
| 2SK1152STL-E | 1.5 A, 500 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1155-E | 5 A, 450 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1156-E | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1155-E | 5 A, 450 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK1152-L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1152L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 1.5A 3PIN DPAK(L)-(1) - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) Box 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,500V,1.5A,3.5ohm,DPAK-L |
| 2SK1152S | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK1152STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1153 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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