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参数资料
| 型号： | 2SK2094TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
| 产品目录绘图： | CPT-3, D-PAK Series |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 10W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2SK2094TLDKR |
2SK2094
Transistors
S =
5
2
1
0.5
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = 0V
Pulsed
5
2
1
0.5
V G
1
0V
Ta = 25 ° C
Pulsed
2000
1000
500
C iss
Ta = 25 ° C
f = 1MHz
V GS = 0V
Pulsed
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
200
100
50
C oss
C rss
0.005
0
0.5
1
1.5
0
0.5
1
1.5
20
1
2
5
10
20
50
100
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.10 Reverse Drain Current
Fig.10 vs. Source-Drain Voltage ( Ι )
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.11 Reverse Drain Current
Fig.11 vs. Source-Drain Voltage ( ΙΙ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.12 Typical Capacitance
Fig.12 vs. Drain-Source Voltage
500
200
100
50
t d(off)
t f
Ta = 25 ° C
V DD = 30V
V GS = 10V
R G = 10 ?
Pulsed
10
1
0.1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
20
10
t r
t d(on)
0.01
0.02
Tc=25 ° C
θ th(ch-c) (t)=r (t) θ th (ch-c)
θ th(ch-c) =6.25 ° C/W
5
0.01
10 μ
2
0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.001
Single pulse
100 μ
1m
10m
PW
100m
T
D=PW
T
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
PULSE WIDTH : PW (s)
Fig.13
Switching characteristics
Fig.14 Normalized Transient Thermal Resistance vs . Pulse Width
(See Figure. 15 and 16 for
the measurement circuit and
resultant waveforms)
Switching characteristics measurement circuit
Pulse Width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t f
t off
Fig.15 Switching Time Test Circuit
Fig.16 Switching Time Waveforms
Rev.A
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