型号: | 2SK3479-Z-E2-AZ |
厂商: | Renesas Electronics America |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
标准包装: | 2,000 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 83A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 毫欧 @ 42A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 210nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 11000pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | TO-263,TO-220SMD |
包装: | 带卷 (TR) |