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参数资料
| 型号： | 2SK3479-Z-E2-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263，TO-220SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3479
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
ORDERING INFORMATION
The 2SK3479 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance:
R DS(on)1 = 11 m ? MAX. (V GS = 10 V, I D = 42 A)
PART NUMBER
2SK3479
2SK3479-S
2SK3479-ZJ
2SK3479-Z
PACKAGE
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD Note
R DS(on)2 = 13 m ? MAX. (V GS = 4.5 V, I D = 42 A)
? Low C iss : C iss = 11000 pF TYP.
? Built-in gate protection diode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
Note TO-220SMD package is produced only
in Japan.
(TO-220AB)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25°C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
100
± 20
± 83
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
± 332
A
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
125
1.5
150
–55 to +150
W
W
°C
°C
(TO-262)
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Note2
Note2
I AS
E AS
65
422
A
mJ
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
2. Starting T ch = 25°C, R G = 25 ?, V GS = 20 → 0 V
(TO-263, TO-220SMD)
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Document No. D15077EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published July 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
?
2000, 2001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3480-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 2SK3481-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 2SK3482-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
| 2SK3483-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
| 2SK3484-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3479-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3479-ZJ-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3479-ZJ-E1-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 83A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3480 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3480-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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