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参数资料
| 型号： | 2SK3479-Z-E2-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263，TO-220SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3479
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
25
20
15
Pulsed
V GS = 4.5 V
10 V
1000
100
10
Pulsed
V GS = 10 V
0V
10
5
1
0
? 50
0
50
100
I D = 42 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ? C
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V SD - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
100000
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
1000
100
t f
t d(off)
t d(on)
1000
C oss
10
V DD = 50 V
t r
R G = 0 ?
100
0.1
1
10
C rss
100
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
160
16
V GS = 0 V
100
120
V DD = 80 V
12
80
50 V
20 V
V GS
8
10
40
V DS
I D = 83 A
4
1
0.1
1.0
10
100
0
50
100
150
200
0
250
I F - Drain Current - A
Data Sheet D15077EJ1V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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PDF描述 |
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