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参数资料
| 型号： | 2SK3479-Z-E2-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 83A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263，TO-220SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2SK3479
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
150
125
100
75
50
25
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
20
40
60
80
100
120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
1000
T C - Case Temperature - ? C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ? C
ite V)
Li = 1
on
Po
S(
G
w
R D at V
m er
( ite
ss
m
10
s
at
io
PW
10
μ s
100
10
)
S
d
m 0 I D(DC)
Li
d
Di
DC
ip
1
m
n
s
I D(pulse)
0
=
10
μ s
1
T C = 25?C
Single Pulse
0.1
0.1 1
10
100
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
Single Pulse
R th(ch-A) = 83.3?C/W
R th(ch-C) = 1?C/W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15077EJ1V0DS
3
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PDF描述 |
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