型号: | 2SK216-E |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 0.5 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | SC-46, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 65K |
代理商: | 2SK216-E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK2131-AZ | 15 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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2SK2135-AZ | 14 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK216K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500MA I(D) | TO-220AB |
2SK217 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
2SK2170 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Impedance Converter Applications |
2SK2171 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency, High-Frequency Amp Analog Switch Applications |
2SK2173 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |