- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33487 > 2SK2170 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK2170 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SMCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SK2170 |
2SK2170
No.4858-3/4
NF -- f
2
4
8
0
10
6
12
16
14
100
10 25
1k
25
10k
25
100k
25
1M
25
0
IGDL -- VDS
3
100n
3
10n
3
1n
3
100p
3
5
10p
1p
15
20
25
510
ITR02569
ITR02570
ITR02567
1.0
2
5
3
7
10
2
5
3
7
3
0.1
25
7
3
25
1.0
10
VDS=10V
f=1kHz
VDS=10V
Rg=1k
ID=1mA
ID=0.1mA
0.3mA
3.0mA
I DSS
=1.0mA
3.0mA 4.5mA
ITR02568
1.0
2
3
10
2
5
3
7
3
25
7
5
1.0
10
VDS=10V
VGS=0
f=1kHz
IGDL
ID
DC
D
S
G
0
--1.50
ID -- VGS
8
10
6
4
2
--0.75
--1.25
--1.00
--0.25
0
--0.50
I DSS
=4.5mA
3.0mA
1.0mA
ITR02563
VDS=10V
VGS(off) -- IDSS
3
5
2
3
5
7
--1.0
2
10
7
5
1.0
7
53
2
ITR02565
VDS=10V
ID=1A
0
--1.2
ID -- VGS
4
5
3
2
1
--0.6
--1.0
--0.8
--0.2
0
--0.4
Ta=-
-25
°C
75
°C
25
°C
ITR02564
VDS=10V
RDS(on) -- IDSS
3
2
5
7
1000
7
100
10
7
5
1.0
7
5
33
2
ITR02566
VDS=10mV
VGS=0
yfs -- ID
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Drain
Leakage
Currents,
I
GDL
--
A
Frequency, f -- Hz
Noise
Figure,
NF
--
dB
Saturation Drain Current, IDSS -- mA
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
mA
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
mA
Drain Current, ID -- mA
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
yfs -- IDSS
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2171-4 | 100 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2171-3 | 100 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2173 | 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2173 | 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK217ZCTL | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2171 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency, High-Frequency Amp Analog Switch Applications |
| 2SK2173 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2173(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 50A 3PIN TO-3P(W) - Rail/Tube |
| 2SK2173_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
| 2SK2173_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。