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参数资料
| 型号： | 2SK2624FG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3.5 A, 600 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220F-3SG, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | 2SK2624FG |
2SK2624FG
No. A1321-2/6
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=10mA, VGS=0V
600
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=480V, VGS=0V
1.0
mA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±30V, VDS=0V
±100
nA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
3.5
5.5
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=1.8A
1.0
2.0
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=1.8A, VGS=15V
2.0
2.6
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
550
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
165
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
85
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
17
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
17
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
40
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
22
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=200V, VGS=10V, ID=3A
15
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=3A, VGS=0V
0.98
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7529-001
PW=1μs
D.C.≤1%
P.G
RGS
50Ω
G
S
ID=1.8A
RL=111Ω
VDD=200V
VGS=15V
VOUT
2SK2624FG
D
50Ω
≥50Ω
RG
VDD
L
15V
0V
2SK2624FG
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220F-3SG
10.16
0.8
15.87
12.98
3.3
6.68
3.23
1.47 MAX
15.8
4.7
2.54
2.76
12
3
0.5
2.54
3.18
(
1.0)
(0.84)
DETAIL-A
A
EMC
FRAME
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PDF描述 |
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参数描述 |
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