参数资料
型号: 2SK2624FG
元件分类: JFETs
英文描述: 3.5 A, 600 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: TO-220F-3SG, 3 PIN
文件页数: 4/6页
文件大小: 320K
代理商: 2SK2624FG
2SK2624FG
No. A1321-4/6
td(on)
td(off)
tf
tr
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
1.0
57
3
25
1.0
IT01027
VDD=200V
VGS=15V
0.1
100
0.001
10
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
0
0.3
0.6
1.5
0.9
1.2
VGS=0V
IT01026
T
c=75
°C
--25
°C
25
°C
--50
--25
0
5
6
2
1
3
4
50
100
150
0
25
75
125
Tc= --25
°C
25
°C
75
°C
IT01025
VDS=10V
ID=1mA
5
10
1.0
2
3
0.1
7
5
2
3
7
0.1
7
3
1.0
25
7
3
25
10
IT01024
Tc=25
°C
ID=3.0A
1.8A
1.0A
0
2.5
3.0
3.5
4.0
2.0
1.5
1.0
8
212
20
14
16
18
610
4
IT01022
V GS
=15V
, I D
=1.8A
V GS
=10V
, I D
=1.8A
--50
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
7.0
6.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
--25
150
25
75
100
125
0
IT01023
IS -- VSD
VGS(off) -- Tc
SW Time -- ID
Drain Current, ID -- A
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
Case Temperature, Tc --
°C
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
-
A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Tc
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Ω
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Ω
Case Temperature, Tc --
°C
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
25
°C
75
°C
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
2.5
2.0
1.5
0.5
1.0
0
2
6
12
14
16
18
10
820
4
VDS=10V
0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
24
8
10
6
13
7
9
5
VGS=6V
10V
15V
8V
7V
Tc= --25
°C
IT01020
IT01021
| yfs | -- I
D
Forward
T
ransfer
Admittance,
|
y
fs
|
-
S
相关PDF资料
PDF描述
2SK2643-01 15 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P
2SK2648-01 9 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P
2SK2768-01S 3.5 A, 900 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2758-01L 10 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2873-01 8 A, 450 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2628ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI
2SK2631-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2638-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: