收藏本站
参数资料
型号： 2SK2736-E
元件分类： JFETs
英文描述： 30 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装： TO-220CFM, 3 PIN
文件页数： 1/7页
文件大小： 88K
代理商： 2SK2736-E
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK2736
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1030-0200
(Previous: ADE-208-544)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 20 m
typ. (V
GS = 10 V, ID = 15 A)
4 V gate drive devices.
High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AE-A
(Package name: TO-220C
FM)
D
G
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
1 2
3
相关PDF资料
PDF描述
2SK2751-AL3-R 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK2776(2-10S2B) 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2776 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2787LS 8 A, 450 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2791TP 4000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK2738(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2744 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2744(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
2SK2744F 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*