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参数资料
| 型号： | 2SK2952 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8.5 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | 2SK2952 |
2SK2952
2004-07-06
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4015 | 10 A, 600 V, 0.86 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SSP-S | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.5-2.5mT, 0.40V, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT |
| 40-01/T4C-4PRB | SINGLE COLOR LED, WHITE |
| 40-01/X4C-4NQB | SINGLE COLOR LED, WHITE, 7.62 mm |
| 401GF | 32-BIT, 50 MHz, RISC PROCESSOR, PQFP80 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2952(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 8.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220(NIS) Bulk |
| 2SK2952(Q,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2952Q | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:"2SK2952 (Q) POWER MOSFET, BULK" |
| 2SK2953 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 15A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK2953(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 15A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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