- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33493 > 2SK3013 16 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3013 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 16 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ITO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | 2SK3013 |
Single
Avalanche
Current
-
Inductive
Load
0.1
1
10
100
2SK3013
0.1
1
10
100
0.05
0.5
0.2
20
50
5
2
200
500
2000
5000
0.02
0.05
0.5
0.2
20
5
2
0.005
0.002
V
DD
=
90V
V
GS
=
15V
→
0V
Rg
=
15
I AS
=
16A
E
AS
=
500mJ
E
AR
=
50mJ
Inductance
L
[mH]
SingleAvalanche
Current
IAS
[A]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3017 | 8.5 A, 900 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3019TL | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301S | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3017 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3017(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3017_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
| 2SK3017_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
| 2SK3018 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。