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参数资料
| 型号： | 2SK3019TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | EMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3019TL |
2SK3019
Transistor
Rev.C
3/3
50
0
25
150
0
3
6
9
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (
°C)
25
50
75
100 125
2
1
4
5
7
8
VGS
=4V
Pulsed
ID
=100mA
ID
=50mA
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
Fig.7 Static drain-source on-state
resistance vs. channel
temperature
0.0001
0.001
0.01
0.02
0.5
FORWARD
TRANSFER
ADMITTANCE
:
|Yfs|
(S)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.005
0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.1
0.2
0.5
0.002
Ta
=25°C
25
°C
75
°C
125
°C
VDS
=3V
Pulsed
Fig.8 Forward transfer
admittance vs. drain current
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
VGS
=0V
Pulsed
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
Fig.9 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
Ι)
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta
=25°C
Pulsed
VGS
=4V
0V
Fig.10 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
ΙΙ)
0.1
1
2
50
CAPACITANCE
:
C
(pF)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
5
10
20
Ciss
Coss
Crss
Ta
=25°C
f
=1MHZ
VGS
=0V
Fig.11 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
0.1
10
20
500
SWITHING
TIME
:
t
(ns)
DRAIN CURRENT : ID (mA)
5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
2
100
Ta
=25°C
VDD
=5V
VGS
=5V
RG
=10
Pulsed
td(off)
tr
td(on)
tf
Fig.12 Switching characteristics
(See Figures 13 and 14 for
the measurement circuit
and resultant waveforms)
Switching characteristics measurement circuit
Fig.13 Switching time measurement circuit
VGS
RG
VDS
D.U.T.
ID
RL
VDD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
Pulse width
10%
VGS
VDS
90%
tf
toff
td (off)
tr
ton
td (on)
Fig.14 Switching time waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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