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参数资料
型号： 2SK3042
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： JFETs
英文描述： Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述： 7 A, 250 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220D
封装： TO-220D, 3 PIN
文件页数： 2/3页
文件大小： 42K
代理商： 2SK3042
2
Power F-MOS FETs
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
I
D
V
DS
I
D
V
GS
V
GS
T
C
V
th
T
C
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
2SK3042
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t =10
μ
s
100
μ
s
DC
1ms
10ms
100ms
D
D
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
60
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
2
4
6
8
10
V
DS
=10V
T
C
=0C
25C
75C
125C
150C
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
0
10
8
2
Drain current I
D
(A)
6
4
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
C
=25C
V
GS
=10V
15V
D
D
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
DS
=10V
T
C
=25C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
40
80
120
160
200
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
f=1MHz
T
C
=25C
C
iss
C
oss
C
rss
I
R
i
,
o
,
r
0
25
50
75
100
125
150
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
6.2
6.4
6.6
V
DS
=10V
I
D
=3A
Case temperature T
C
(C)
G
G
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
5
10
15
20
2
4
6
8
10
12
14
16
0
6.5V
7.5V
10V
55V
6V
7V
40W
V
GS
=15V
T
C
=25C
D
D
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