参数资料
型号: 2SK3043
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: JFETs
英文描述: Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述: 5 A, 450 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 45K
代理商: 2SK3043
3
Power F-MOS FETs
2SK3043
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
V
DS
, V
GS
Q
g
t
d(on)
, t
r
, t
f
, t
d(off)
I
D
R
th(t)
t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
50
100
150
200
250
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
T
C
=25C
I
R
i
,
o
,
r
0
10
20
30
40
50
60
0
400
300
100
250
350
200
50
150
0
20
15
5
10
V
GS
V
DS
V
DS
=90V
225V
330V
I
D
=5A
T
C
=25C
G
G
Gate charge amount Q
g
(nC)
D
D
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
120
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
V
DD
=150V
V
GS
=10V
T
C
=25C
S
d
,
r
,
f
,
d
相关PDF资料
PDF描述
2SK3044 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3045 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3046 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3047 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
2SK3048 Silicon N-Channel Power F-MOS FET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3044 功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3045 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3046 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3047 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3048 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件