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参数资料
型号： 2SK3044
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： JFETs
英文描述： Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述： 7 A, 450 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装： TO-220D, 3 PIN
文件页数： 3/3页
文件大小： 45K
代理商： 2SK3044
3
Power F-MOS FETs
2SK3044
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
V
DS
, V
GS
Q
g
t
d(on)
, t
r
, t
f
, t
d(off)
I
D
R
th(t)
t
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
50
100
150
200
250
1
10
100
1000
3
30
300
3000
10000
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
T
C
=25C
I
R
i
,
o
,
r
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
4
8
12
16
2
6
10
14
I
D
=8A
T
C
=25C
V
GS
V
DS
G
G
Gate charge amount Q
g
(nC)
D
D
0
2
Drain current I
D
(A)
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
V
DD
=150V
V
GS
=10V
T
C
=25C
S
d
,
r
,
f
,
d
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述
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参数描述
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2SK3046 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3047 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3048 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3049 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET
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