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参数资料
| 型号： | 2SK3082(S) |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SK3082(S) |
Datasheet Title
8
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R L
V
= 30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t f
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 1.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ
γ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
Switching Time Test Circuit
Waveform
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
s
(t)
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SK3669 | 10 A, 100 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3082STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3084-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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