- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录246847 > 2SK3135(S) 0.012 ohm, POWER, FET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3135(S) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.012 ohm, POWER, FET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SK3135(S) |
2SK3135(L),2SK3135(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-695B (Z)
3rd. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 6 m typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4548E2-TD | 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC4548D2 | 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SD1246-U | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1475F | 0.4 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N3395TRD | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3135STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3140 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3140(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。