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参数资料
| 型号： | 2SK3274(S) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK3274(S) |
2SK3274(L), 2SK3274(S)
4
40
30
20
10
0
50
100
150
200
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature
Tc (
°C)
Power vs. Temperature Derating
200
100
50
10
20
5
1
2
0.5
0.2
12
510
20
50
100
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
50
40
30
20
10
0
24
68
10
Gate to Source Voltage
VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
50
40
30
20
10
0
2
468
10
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
4 V
5 V
V
= 3.5 V
GS
6 V
4.5 V
Tc = 75
°C
25
°C
-25
°C
V
= 10 V
DS
Ta = 25
°C
Operation in
this area is
limited by RDS(on)
100
s
1 ms
PW
=
10
ms
(1shot)
DC
Operation
(Tc
=
25
°C)
10
s
10 V
Pulse Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3274(S) | 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3278TP | 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3280TP-FA | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3283TP | 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3284 | 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3277 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス － パワーMOS FET |
| 2SK327700L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3278 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| 2SK3279 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p |
| 2SK3279TP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
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