参数资料
型号: 2SK3274(S)
元件分类: JFETs
英文描述: 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: DPAK-3
文件页数: 11/12页
文件大小: 57K
代理商: 2SK3274(S)
2SK3274(L), 2SK3274(S)
8
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ
s
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch - c(t) = s (t)
ch - c
ch - c = 4.17
°C/W, Tc = 25°C
θ
γ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot
Pulse
Tc = 25
°C
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R L
V
= 30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t f
Switching Time Test Circuit
Waveform
相关PDF资料
PDF描述
2SK3278TP 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3280TP-FA 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3283TP 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3284 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3285 40 A, 30 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3277 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス - パワーMOS FET
2SK327700L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3278 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications
2SK3279 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p
2SK3279TP 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR