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参数资料
| 型号： | 2SK3339-01 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | 27 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SK3339-01 |
2
Characteristics
2SK3339-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Safe operating area
ID=f(VDS):Single Pulse,Tc=25°C
t=
1μs
D.C.
I
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
30
40
50
60
20V
10V
15V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80μs pulse test,Tch=25°C
4.5V
VGS=4.0V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80μs pulse test,Tch=25°C
15V
20V
10V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
VGS=4.5V
t
T
D=
t
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3340-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 2SK3341-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK334 | Silicon N-Channel Junction-Type Field Effect TR For CONDENSER MICROPHONES |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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