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参数资料
| 型号： | 2SK3341-01 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | 10 A, 900 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SK3341-01 |
3
10
-1
10
0
10
1
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=600V,VGS=10V,RG=10
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
2SK3341-01
FUJI POWER MOSFET
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
R
Tch [°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
max.
typ.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA
V
Tch [
°
C]
0
50
100
150
200
250
0
5
10
15
20
25
Qg [C]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=10A,Tch=25°C
720V
450V
Vcc= 180V
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80μs pulse test,Tch=25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3342 | CONTACT |
| 2SK334 | Silicon N-Channel Junction-Type Field Effect TR For CONDENSER MICROPHONES |
| 2SK3362 | POWER MOSFET |
| 2SK3362-01 | MOSFETs |
| 2SK3363-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK3342 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV) |
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