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参数资料
| 型号： | 2SK3480-Z-AZ |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SK3480-Z-AZ |
Data Sheet D15078EJ1V0DS
7
2SK3480
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
4) TO-220SMD(MP-25Z)
Note
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TY
P.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3480-AZ | 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3480-ZJ-AZ | 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3480 | 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3480-S-AZ | 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 2SK3482-Z | 36000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3480-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3481 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3481-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3481-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3481-S12-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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