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参数资料
| 型号： | 2SK3507 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 22000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
| 封装： | TO-251, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SK3507 |
2SC5096
2003-03-24
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3511-S-AZ | 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 2SK3511-AZ | 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3511-Z | 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3518-01MR | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3565 | 5 A, 900 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK3511(AZ) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK3511-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3512-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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