型号: | 2SK3541T2L |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | VMT3, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | 2SK3541T2L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK3546G | 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SK3549-01 | 10 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
2SK3562 | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3568 | 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3570-ZK | 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK3541T2L-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Single N-Channel 150 mW 30 V 13 Ohm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - VMT-3 |
2SK3543(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 2A 3-Pin SC-67 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 2A 3-Pin SC-67 Cut Tape |
2SK3546G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3546J0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK354700L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |