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参数资料
型号： 2SK3541T2L
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装： VMT3, 3 PIN
文件页数： 2/4页
文件大小： 78K
代理商： 2SK3541T2L
2SK3541
Transistor
Rev.B
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
IGSS
V(BR)DSS
IDSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
|Yfs|
Coss
Crss
Min.
30
0.8
20
5
13
9
4
±1
1.0
1.5
8
713
AVGS=±20V, VDS=0V
ID
=10A, VGS=0V
VDS
=30V, VGS=0V
VDS
=3V, ID=100A
ID
=10mA, VGS=4V
ID
=1mA, VGS=2.5V
VDS
=5V
ID
=10mA, VDS=3V
VGS
=0V
f
=1MHz
V
A
V
pF
mS
pF
td(on)
15
ID
=10mA, VDD 5V
ns
tr
35
VGS
=5V
ns
td(off)
80
RL
=500
ns
tf
80
RG
=10
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Static drain-source on-state
resistance
Electrical characteristic curves
0
1
23
45
0
0.05
0.1
0.15
DRAIN
CURRENT
:
I
D
(A)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
3V
3.5V
2.5V
VGS
=1.5V
4V
2V
Fig.1 Typical output characteristics
Ta
=25°C
Pulsed
04
0.1m
100m
DRAIN
CURRENT
:
I
D
(A)
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
1
10m
3
2
1m
0.2m
0.5m
2m
5m
50m
20m
200m
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
VDS
=3V
Pulsed
Fig.2 Typical transfer characteristics
50
0
1
1.5
2
GATE
THRESHOLD
VOLTAGE
:
V
GS(th)
(V)
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (
°C)
0.5
25
50
75
100
125
150
VDS
=3V
ID
=0.1mA
Pulsed
Fig.3 Gate threshold voltage vs.
channel temperature
0.001
1
2
50
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
VGS
=4V
Pulsed
Fig.4 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current (
Ι)
0.001
1
2
50
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
VGS
=2.5V
Pulsed
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
Fig.5 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current (
ΙΙ)
0
5
10
15
20
0
5
10
15
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
ID
=0.1A
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
Ta
=25°C
Pulsed
ID
=0.05A
Fig.6 Static drain-source
on-state resistance vs.
gate-source voltage
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PDF描述
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