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参数资料
| 型号： | 2SK3541T2R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | VMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SK3541T2R |
2SK3541
Transistor
Rev.A
3/4
0.001
1
2
50
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
VGS
=4V
Pulsed
Fig.4 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current (
Ι)
0.001
1
2
50
0.5
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10
20
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
VGS
=2.5V
Pulsed
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
Fig.5 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current (
ΙΙ)
0
5
10
15
20
0
5
10
15
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
ID
=0.1A
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
Ta
=25°C
Pulsed
ID
=0.05A
Fig.6 Static drain-source
on-state resistance vs.
gate-source voltage
50
0
25
150
0
3
6
9
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (
°C)
25
50
75
100 125
2
1
4
5
7
8
VGS
=4V
Pulsed
ID
=100mA
ID
=50mA
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
Fig.7 Static drain-source on-state
resistance vs. channel
temperature
0.0001
0.001
0.01
0.02
0.5
FORWARD
TRANSFER
ADMITTANCE
:
|Yfs|
(S)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.005
0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.1
0.2
0.5
0.002
Ta
=25°C
25
°C
75
°C
125
°C
VDS
=3V
Pulsed
Fig.8 Forward transfer
admittance vs. drain current
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
VGS
=0V
Pulsed
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
Fig.9 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
Ι)
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta
=25°C
Pulsed
VGS
=4V
0V
Fig.10 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
ΙΙ)
0.1
1
2
50
CAPACITANCE
:
C
(pF)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
5
10
20
Ciss
Coss
Crss
Ta
=25°C
f
=1MHZ
VGS
=0V
Fig.11 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
0.1
10
20
500
SWITHING
TIME
:
t
(ns)
DRAIN CURRENT : ID (mA)
5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
2
100
Ta
=25°C
VDD
=5V
VGS
=5V
RG
=10
Pulsed
td(off)
tr
td(on)
tf
Fig.12 Switching characteristics
(See Figures 13 and 14 for
the measurement circuit
and resultant waveforms)
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PDF描述 |
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