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参数资料
| 型号： | 2SK3740-ZK-AZ |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-263, MP-25ZK, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | 2SK3740-ZK-AZ |
Data Sheet D16913EJ1V0DS
3
2SK3740
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100 125
150 175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
Powe
r
Dissipation
-
W
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
ID(DC)
ID(pulse)
RDS(on) Limited
(at VGS = 10 V)
1 ms
10 ms
Power Dissipation Limited
PW = 100 ｓ
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(t)
-
Transient
T
hermal
Resistance
-
°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 83.3°C/W
Rth(ch-C) = 1.25°C/W
PW - Pulse Width - s
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK3742(Q,M) | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 5A 45W PD Rdson 2.2 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3742(STA4,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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