参数资料
型号: 2SK3748
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1500V(1.5kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 欧姆 @ 2A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 30V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3 整包
供应商设备封装: TO-3PML
包装: 托盘
2SK3748
8
7
Tc=25°C
ID -- VDS
10V
8V
7
6
ID -- VGS
Tc= --25°C
VDS=20V
6
5
6V
5
4
5V
4
25°C
3
3
2
2
75°C
1
0
VGS=4V
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
14
12
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT09205
ID=2A
16
14
RDS(on) -- Tc
IT09206
ID=2A
VGS=10V
10
12
8
6
4
2
0
Tc=75°C
25°C
--25°C
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
25 °
°
--25
75 °
7
5
3
2
| y fs | -- ID
C
Tc=
C
C
IT09207
VDS=20V
2
10
7
5
3
2
1.0
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT09208
V GS=0      V
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0.01
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT09209
VDD=200V
VGS=10V
10000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT09210
f=1MHz
3
2
2
1000
7
Ciss
100
tf
5
3
7
2
Coss
5
3
2
tr
td(on)
100
7
5
3
Crss
2
10
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT09211
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT09212
No.8250-3/7
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PDF描述
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参数描述
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2SK3748-1E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3748-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES
2SK375 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK3753-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: