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参数资料
| 型号： | 2SK381-11-C |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2SK381-11-C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK381-11-A | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381-T11-C | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381-11-E | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381-T11-D | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3813-Z | 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3811-AZ-ZP | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3811-ZP-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3812-ZP-A E2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3812-ZP-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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