- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30622 > 2SK3979TP-FA (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3979TP-FA |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | TP-FA, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SK3979TP-FA |
2SK3979
No. A0263-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
17.5
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
26
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
50
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
42
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=100V, VGS=10V, ID=6A
18.2
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=100V, VGS=10V, ID=6A
8.0
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=100V, VGS=10V, ID=6A
7.0
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=6A, VGS=0V
0.86
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-004
7003-004
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=3A
RL=33.3Ω
VDD=100V
VOUT
2SK3979
VIN
10V
0V
VIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3979TP | 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3979TP-FA | 6000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3986-01MR | 3.6 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3991-AZ | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK3991-ZK-E1-AZ | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3980-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 60V 0.9A obo Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.9A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SK3984-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3991-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3991-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3992-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。