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参数资料
| 型号： | 2SK4057-ZK-E2-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | 2SK4057-ZK-E2-AY |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SC5081
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0743-0300
(Previous ADE-208-1133A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF wide band amplifier
Features
High gain bandwidth product
fT = 13.5 GHz Typ
High gain, low noise figure
PG = 18 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A
(Package name: CMPAK-4)
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
1
4
3
2
Note:
Marking is “ZD–”.
Attention: This device is very sensitive to electro static discharge.
It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4057 | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4062LS | 18 A, 450 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4065-TL | 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4065 | 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4076-ZK-E1-AY | 35000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4058-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4058-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4059TK | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK4059TV | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK405O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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