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参数资料
| 型号： | 2SK4057-ZK-E2-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | 2SK4057-ZK-E2-AY |
2SC5081
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 5 of 5
Package Dimensions
A
S
M
x
S
y
e
e2
b1
A
EHE
L
L1
Q
c
D
B
b
AA
b1
b3
c1
c
B-B Section
Pattern of terminal position areas
b4
l1
b5
l1
e1
e2
e
A3
LP
S
A
A2
A1
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
e
HE
L
LP
x
y
b4
e1
l1
Q
0.8
0
0.8
0.25
0.1
1.8
1.15
1.8
0.3
0.2
0.32
0.25
0.9
0.13
0.11
2.0
1.25
0.65
2.1
1.5
0.2
1.1
0.1
1.0
0.4
0.35
0.42
0.5
0.15
2.2
1.35
2.4
0.7
L1
0.1
0.5
0.6
0.05
0.45
0.9
Dimension in Millimeters
Reference
Symbol
Min
Nom
Max
A3
e2
0.6
b2
0.3
b3
0.4
b5
0.55
SC-82A
0.006g
MASS[Typ.]
CMPAK-4(T) / CMPAK-4(T)V
PTSP0004ZA-A
RENESAS Code
JEITA Package Code
Package Name
b
A-A Section
b2
c1
c
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SC5081ZD-TL-E
3000
φ 178 mm Reel, 8 mm Emboss Taping
Note:
For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4057 | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4062LS | 18 A, 450 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4065-TL | 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4065 | 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4076-ZK-E1-AY | 35000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4058-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4058-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4059TK | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK4059TV | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK405O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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