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参数资料
| 型号： | 2SK4078-ZK-E1-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | 2SK4078-ZK-E1-AY |
Data Sheet D18885EJ1V0DS
3
2SK4078
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rc
entage
of
Rated
P
o
wer
-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-T
ot
al
P
o
wer
Di
ssipation
-
W
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
ren
t-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
ID(DC)
DC
ID(pulse)
TC = 25
°C
Single Pulse
RD
S(o
n) L
imi
ted
(V
GS
= 1
i 0
V)
PW
= 1
i
00
μs
1
i m
i
s
1
i
0
m
i
s
Po
w
er
D
iss
ip
atio
n
Lim
ite
d
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th
(t
)-
T
ransient
Thermal
Resis
ta
nce
-
°C/
W
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 125
°C/Wi
Rth(ch-C) = 2.77
°C/Wi
Single Pulse
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4078 | 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4080-ZK-E1-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4081-S15-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4081(1)-S27-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4081-ZK-E2-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4078-ZK-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK408 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS FET |
| 2SK4080-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4080-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4081 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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