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参数资料
| 型号： | 2SK4078-ZK-E1-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | 2SK4078-ZK-E1-AY |
Data Sheet D18885EJ1V0DS
4
2SK4078
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
D
rain
Curre
nt
-
A
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Drain
Cu
rr
ent
-A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
012
345
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(o
ff)
-
Gate
to
S
our
ce
Cut
-o
ffVoltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-100
-50
0
50
100
150
200
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forwa
rd
Tr
ansfer
Admi
ttance
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
150
°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(on)
-Dr
ai
nto
S
our
ce
O
n-
st
at
e
Re
si
st
an
ce
-m
Ω
0
4
8
12
16
20
1
10
100
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS
(on)
-D
rain
to
S
ou
rc
eOn-s
tate
Resis
tance
-
m
Ω
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 10 A
25 A
50 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4078 | 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4080-ZK-E1-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4081-S15-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4081(1)-S27-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4081-ZK-E2-AY | 2 A, 600 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4078-ZK-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK4080-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4081 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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