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参数资料
| 型号： | 2SK4090(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3B, TO-251, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | 2SK4090(1)-S27-AY |
Data Sheet D18634EJ1V0DS
4
2SK4090
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
50
100
150
200
250
01
23
VGS = 10 V
4.5 V
Pulsed
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-Drain
Current
-
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
012
3
4
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS(
off
)–
Gate
to
Sour
ce
Cut-off
V
oltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-75
-25
25
75
125
175
VDS = VGS
ID = 250
μA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
For
w
ard
Transfer
A
dmi
ttanc
e-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
25°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
Sourc
eOn-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 30 A
VGS – Gate to Source Voltage - V
R
D
S
(on)
-Dr
ai
nto
Sourc
eOn-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
10
20
30
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4090-ZK-E1-AY | 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4091-ZK-E1-AY | 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
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参数描述 |
|---|---|
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| 2SK4090-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4091-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| 2SK4092 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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