参数资料
型号: 2SK4090-ZK-E1-AY
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封装: LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN
文件页数: 5/8页
文件大小: 176K
代理商: 2SK4090-ZK-E1-AY
Data Sheet D18634EJ1V0DS
5
2SK4090
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
R
D
S
(on)
-Drain
to
S
ourc
eOn-s
tate
Resis
tance
-m
Ω
0
5
10
15
-75
-25
25
75
125
175
10 V
ID = 30 A
Pulsed
VGS = 4.5 V
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capacitance
-
pF
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
VDS - Drain to Source Voltage – V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(on)
,t
r,
t
d(of
f),
t
f-
S
w
itching
Time
-
ns
1
10
100
0.1
1
10
100
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 15 V
VGS = 10 V
RG = 3
Ω
ID - Drain Current - A
V
DS
Drain
to
Source
V
oltage
-
V
0
10
20
30
0
102030
40
0
2
4
6
8
10
12
VDS
VGS
ID = 30 A
VDD = 24 V
15 V
6 V
QG – Gate Charge - nC
V
GS
Gate
to
S
ource
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
Diode
Fo
rwar
dCur
rent
-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
VGS = 4.5 V
0 V
Pulsed
10 V
VF(S-D) – Source to Drain Voltage - V
trr
Reverse
R
eco
very
Ti
me
-ns
1
10
100
1
10
100
VGS = 0 V
di/dt = 100 A/
μs
IF – Diode Forward Current - A
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